第3章显存;一概述;3、动态显存DRAM的储存原理：每位显存单元是由一个短暂储存电荷的电容器构成的，这电荷表示显存单元所储存的信息，代表哪些涵义，假若电容器所储存的电荷量超过一半，那表示值为1，如所储电荷多于一半，或没电荷则电容器值为0，电容器遗失电荷的速率十分快，因而DRAM必须包括一个刷新电路，此电路能检测每一个内存单元，之后须要时就刷新其中的电荷，便于其值保持不变。;二显存的分类;（一）ROM和RAM的区别（二）DRAM的分类;（1）FPMRAM（快页显存）流行于386时代，按页储存，每发送一次数据占3个时钟，速率慢，都在60ns以上。（2）EDORAM（扩充数据输出显存）流行于486和初期Pentium机器上，每传送一次数据需两个时钟，速率已达到60ns，72线或168线，32位总线，5v电流。（3）SDRAM（同步动态随机储存器）现今较流行的显存，其工作速率与系统总线速率是同步的，它已成为当前的显存标准。SDRAM按标准运行工作频度分为：PC66、PC100和PC133等标准，其中66、100和133为系统总线频度。

168线，64位总线，3.3v电流。;（4）DDRSDRAM（双数据率同步动态随机储存）现今最流行的显存。其特征：单个时钟周期的上升沿和增长沿都传送数据，所以比相同频度的SDRAM高一倍的速度。184线，2.5v电流。（5）RDRAM（RambusDRAM）Rambus公司为电视游戏机提供的显存尺寸，其显存口为16位，引脚为184线，其必须成对安装，且插孔需插满（空余的可用阻搁板或空模块）替代。;2、按用途分;三显存的技术指标;4、内存的电流指显存正常工作所用的电流。（初期显存FPM，EDO为5v，SDRAMY通常为3.3v，RDRAM和DDR均采用2.5v工作电流）。5、CAS等待时间LC（CASLatency）（1）CAS等待时间又称为CAS延后时间，指CAS讯号须要经过多少个周期以后能够读写数据,即，横向地址扫描脉冲的反应时间。它是在一定频度下评判支持不同规范显存的重要标志之一。（2）如今的SDRAM的CL为3或2，其实在SDRAM制造的过程中，会把CL值写入其中的EEPROM（SPD）芯片中，显卡的BIOS会手动检测。;3）SPD为串行存在侦测，8针，2KB，储存着显存的容量，生产厂商，工作速率和是否存在ECC校准等。

6、系统时钟循环周期（TCK）即时钟周期，其代表SDRAM所能运行的最大频度。显存时钟周期由主频决定，可简单定为TCK=1/f，如：TC100的TCK为：1/100M=10ns可计作：PC-10。7、存取时间TAC其代表读取数据所延后的时间，数值越大，数据输出的时间越长；通常要求在CL=3时，TAC不能小于6ns。;8、总延后时间公式：总延后时间=系统时钟周期*CL+存取时间。如，PC100存取时间为6ns，我们设定CL=2，则总延后时间为：10ns*2+6ns=26ns。9、奇偶校准、非奇偶校准（1）这是一种检测数据是否正确的方式（在写入或读出时对比检测，通常以一个字节为单位进行校准）。（2）在奇偶校准中，假如1个字节中有偶数??1，则奇偶校准位为0，反之为1。（3）依据是否存在奇偶校准位，可将DRAM分成奇偶校准显存和非奇偶校准显存（有些显卡可以使用两种显存但不能混用）。;10、ECC（错误手动检测与更正）其不但可以检测错误，还可以更正错误。11、内存线数（1）显存线数是指显存条与显卡插接时有多少个接触点（金手指）。（2）30线的显存数据长度为8位，72线的显存为32位，186线的为64位。所以，Pentium类CPU安72线的显存时须要安2的倍数条第一考试网，可安一个168线或184线的显存。;四显存厂商与辨识;五显存的购买;六作业